产品新知 您所在的位置:电子展览网 > 行业资讯 > 产品新知

2010决胜年 ASML 主攻38纳米、EUV设备




关键词:ASML

      全球最大半导体微显影设备业者ASML表示,目前客户订单增加相当多,但主是来自半导体业者制程微缩而非产能扩充的需求,半导体业者仍持续微缩半导体制程,摩尔定律预料将持续延续。以目前ASML最先进的浸润式微显影机种来看,新一代的机种NXT 1950i 也已于2009年下半出货,未来将快速增加出货,同时深紫外光(EUV)也至少囊括5套客户订单,对ASML来说2010年将是极重要的一年。

      ASML NXT技术平台资深经理Frank van de Mast指出,XT1900Hi的下一代机种NXT 1950i目前可因应38纳米制程技术,但在叠影技术上可以做到更为精密的程度达2纳米,而且产出速度更快,1小时产出可达175~200片晶圆。外界预测,采用ASML NXT 1950i最精密的浸润式显影机种多半的客户订单应该来自存储器晶圆厂。

      此外,在颇受业界瞩目的深紫外光(EUV)方面,ASML所采用的Cymer光源已可以从20瓦提高到75瓦,达到1小时生产60片晶圆不成问题,预计可在2010年达到此目标,并计划在2014年达到每小时180片晶圆的高生产率。

      EUV 微显影系统副总Ron Kool指出,EUV平台NXE 3100预期2010年可以做到27纳米,ASML对于EUV有相当完整、积极的技术蓝图规画,预期在NXE 3100之后相继推出NXE3300B等后续机种持续提高生产力,最快预计将在2012年第1季问世,足以因应22~16纳米以下制程所需。

      ASML 目前至少已经确保从6家客户端获得来自5套EUV系统订单,包括三星电子(Samsung Electronics)及超微(AMD)晶圆生产部门都采用EUV开发新产品,且ASML与三星的技术蓝图几乎紧密相关。

      ASML 研发副总Jos Benschop亦表示,尽管目前业界在双重曝光显影之后也有提出三重曝光(triple patterning)技术,技术上是可行的,不过他认为更重要的是经济规模能否降低成本,以目前深紫外光所能达到的技术突破,在成本上已经可以因应量产,使三重曝光显影技术更有竞争力。
 

 

分享到:
收藏 打印
相关新闻