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哈佛大学的风险企业将把高感光度的“黑硅”用于专业用途




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  美国哈佛大学技术开发局(OTD)和美国SiOnyx于当地时间2008年10月13日宣布,哈佛大学将向SiOnyx提供名为“黑硅(Si)”的特殊硅材料的专利授权。SiOnyx将获得哈佛大学黑硅相关专利的独占使用权,争取实现商用化。
  哈佛大学发现的黑硅的感光度比普通硅高很多,可用于太阳能电池和光传感器等。向硅表面照射强激光、使硅转变成黑硅之后,光的吸收率会提高到近原来的2倍,还可检测出不与普通硅发生反应的红外线。另外黑硅的制造工艺可嵌入到目前半导体制造工艺中,不需要使用新材料。
  美国媒体(《纽约时报》)称,在六氟化硫(SF6)气体中,向硅晶圆照射具有与照射到整个地球上的阳光同等的能量的激光脉冲,便会在表面上形成细微针状的密集结构,肉眼可看见表面变黑。


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