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NS推出6款低电压放大器 输入电流低至几十飞安




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       美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation)采用该公司专有的全新 VIP50 工艺技术成功开发 6 款无论在准确度、功耗及电压噪音都有大幅改善的运算放大器,预计这些新芯片可以满足工业应用、医疗设备及汽车电子系统等产品市场的需求。这几款芯片除了在上述几方面有大幅改进之外,所采用的封装也极为小巧,因此也很适合便携式电子产品采用。美国国家半导体在另一份相关的新闻发布中详细介绍这种 VIP50 工艺的特色及技术规格。

        美国国家半导体公司推出 4 款型号分别为 LMV651、LMV791、LPV511 及 LPV7215 的全新放大器,其特色是增益带宽积达到世界的先进水平。以 12 MHz 单位增益带宽的 LMV651 放大器为例来说,这款放大器比采用 SOT 及 SC70 封装的主要竞争产品节省多达 90% 的用电。其他的产品也各有自己的优点,其中包括低至 1µA 以

下的电流以及高达 12V 的操作电压等特色,而采用SC70 封装的纳安 (nanoamp) 比较器则只有 6.6µs 的传播延迟。

       美国国家半导体一直致力壮大高精度放大器系列的产品阵容,今次推出的 LMP7701 及 LMP7711 是该公司这方面的努力成果。这两款芯片是该公司新一代运算放大器系列的首两个型号,具有性能更高、输入偏置电压低于 300µV、输入偏置电压保证低于 200fA、以及操作电压高达 12V 等优点。

       LMP7711 单组装运算放大器可以提供低电流 (50fA) MOS 输入,但所产生的噪音仍然不会超过 7nV/sqrt Hz,这个优点有助减少失真及信号调节错误。由于这款放大器获得高精度薄膜电阻及准确匹配的晶体管配对为其提供支持,因此输入电压偏移错误保证不会超过 200µV,共模抑制比 (CMRR) 又可提高至 95dB,而电源抑制比 (PSRR) 则可提高至 100dB。此外,即使这款芯片在 -40°C 至 125°C 的极端温度情况下操作,其偏移电压漂移 (TCVos) 仍可保持在 1µV/°C 的低水平。

       LMP7701 高精度放大器可以利用 2.7V 至 12V 的供电电压操作,而且可以提供满摆幅 CMOS 输入,其输入偏压电流低至只有 200fA。工程师可以利用微调及设计技术彻底清除传统满摆幅输入放大器常有的较大偏移错误,以便改善输入偏移电压,使整个共模电压范围 (0V 至 12V) 内的输入偏移电压不会超过 300µV。这款放大器芯片也采用已注册专利的校正技术,以调低偏移电压温度系数,以 CMOS 高精度放大器为例来说,这个系数通常都很大。这两款产品都采用 SOT23 封装。

       LMV791 低噪音 CMOS 输入运算放大器的频带噪音只有 5.8nV/sqrt Hz,可说较为平坦。此外,这款运算放大器的偏移电压低至不足 1.3mV,而温度系数则低至不足 3µV/°C,这两个优点有助提高系统的整体准确性。这款芯片的 PSRR 高达 100dB,而 CMRR 则高达 95dB,这两个优点可确保直流电的表现符合高性能应用的要求。此外,这款芯片的停机功能可将空闲模式的功耗减至 1µA 以下。LMV791 采用 6 引脚的 TSOT23 封装。

       LMV651 芯片采用高效率的设计,操作时只耗用 115µA 的电流,比旧型号运算放大器节省多 90% 的用电,但即使这样,这款芯片仍可支持 12MHz 的单位增益带宽,而中频噪音电压则低至只有 17nV/sqrt Hz。由于这款芯片拥有不足 1mV 的输入偏移电压、100dB CMRR 及 95dB PSRR 等优点,因此可以在多种不同的输入电压及供电电压情况下改善直流电系统的整体准确度。LMV651 芯片采用 SC70 封装。

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