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光荣与梦想-中国半导体产业反思及展望




3、我国半导体分立器件发展热点

    一是分立器件将向微型化、片式化、高性能化方向发展。分立器件片式化是整机小型化的需要,是应用最广泛的电子器件,现在片式化水平已经成为衡量半导体分立器件技术发展水平的重要标志之一。据有关资料测算,2005年我国二、三极管的片式化率约为10%,远远低于发达国家的水平。为了提高分立器件的片式化率,国内主要分立器件封测厂均在大力增加片式器件生产能力。如内资最大综合型封装测试企业——长电科技,2008年分立器件的销售量为191亿只,其中片式器件(SOT/SOD系列)的销售量占到83%。

    二是汽车电子市场规模迅速增长。根据赛迪顾问的预测,2008年汽车电子市场规模为1376.5亿元,与2007年相比销售额的增长率为25.6%。2006年中国汽车电子市场中,底盘控制与安全、动力控制系统、车身电子、车载电子产品分别占据了29.2%、28.5%、24.8%、17.5%的市场份额。

    三是功率分立器件大有作为。由于分立器件产品更易实现高功率、高散热以及应用场合更灵活等特点。特别是在大功率、高电流、高频率、低噪声等独特应用领域中,将发挥至关重要的作用,市场空间相当大。预计全球电源类分立器件市场规模将在今后十年内增长一倍多,而中国将以18%左右的年均复合增长率快速发展,其中节能灯用功率器件将呈现高速增长的态势。

    四是新型半导体分立器件,尤其是大功率半导体器件的市场前景无限,其技术已日益广泛地应用和渗透到电力、冶金、装备制造业、交通运输、国防等重点领域。据统计:2008年中国的大功率分立器件市场规模达到了51.35亿元人民币,在全球市场中占到了39.19%的份额;到2010年中国市场销售额将达到75.67亿元人民币,占全球市场预计超过47.4%,年均复合增长率在未来五年中高达20%左右。无论在新能源、激光、高速铁路等前沿领域,还是在输变电、马达驱动、轨道交通、电焊机、大功率电源等领域,以及有色金属、采矿、传动、造纸、纺织等多类领域均将得到广泛的应用,市场持续看好,依旧是分立器件芯片生产企业研发与生产的方向。

    4、分立器件的发展趋势

    事实证明,半导体分立器件仍有很大的发展空间。半导体分立器件通常总是沿着功率、频率两个方向发展,发展新的器件理论、新的结构,出现各种新型分立器件,促进电子信息技术的迅猛发展。

    一是发展电子信息产品急需的高端分立器件,如Si、GaAs微波功率器件、功率MOS器件、光电子器件、变容管及肖特基二极管等。随着理论研究和工艺水平的不断提高,电力电子器件在容量和类型等方面得到了很大发展,先后出现了从高压大电流的GTO到高频多功能的IGBT、功率MOSFET等自关断、全控型器件。近年来,电力电子器件正朝着大功率、高压、高频化、集成化、智能化、复合化、模块化及功率集成的方向发展,如IGPT、MCT、HVIC等就是这种发展的产物。二是发展以SiGe、SiC、InP、GaN等化合物半导体材料为基础的新型器件。三是跟踪世界半导体分立器件发展趋势,加强对纳米器件、超导器件等领域的研究。四是分立器件封装技术的发展趋势仍以片式器件为发展方向,以适应各种电子设备小型化、轻量化、薄型化的需要。封装形式的发展,一是往小型化方向发展,由常用的SOT-23、SOD-123型向尺寸更小的,如SOT-723/923、SOD-723/923、DFN/FBP1006等封装型式发展;二是片式小型化往功率器件方向延伸,从1W功率的SOT-89一直到功耗10W的TO-252以及功率更大的大功率封装,如TO-247、TO-3P等;三是另一类则望更大尺寸、更大体积以满足各类更大功率的新型电力电子封装,如全压接式大功率IGBT及各类模块封装等。

   三、我国分立器件现状及面临的问题与对策

    1、我国分立器件现状及面临的问题

    分立器件产业地区分布相对集中。按国内半导体分立器件行业销售总额比重分布,其中长三角地区占41.3%,京津环渤海湾地区占10%,珠三角地区占43.2%,其他地区占5.5%。我国生产分立器件的企业主要分布在江苏、浙江、广东、天津等省市,占到全国的76.4%以上。

    2008年世界半导体市场虽有小幅增长,但增长率却进一步下滑至2%左右,而分立器件市场则以高于半导体整体市场3%的表现,成为引人注目的产品市场。受世界经济发展放缓、原材料价格上涨等不利因素的影响,2008年中国分立器件市场延续了增速逐年下降的趋势,且增长率下滑明显,为近4年来的最大下降幅度。2008年中国分立器件市场销量为2740亿只,同比增长5.4%;市场销售额为911.4亿元,同比增长8.3%,与以前几年相比,下滑速度较为明显。除了宏观经济因素外,分立器件主要产品中的二极管、三极管处于市场成熟阶段,产品竞争日益激烈,导致产品价格持续走低,也是重要的影响因素。随着行业成熟度提高,市场需求增速放缓,厂商很难在现有业务规模上实现以往高速的业绩增长,而为了在竞争中保持领先地位,同时也迫于资本市场压力,近年来二极管、三极管行业上下游之间的收购兼并及整合已呈现日益加剧的态势。2009年,我国分立器件市场产量和销售额将出现小幅萎缩,预计分别为4.8%和9.0%的水平,但LED,尤其是高亮度LED持续高涨。

    总体上,我国分立器件产业特点是五多五少,即:中小型企业多,大型企业少;民资企业多,外资、国资少;中低档产品多,高端产品少;重复生产多,冲击型生产少;弱势企业多,强势企业少。我国分立器件企业的优势在于:投资少、见效快;劳动密集型企业多,可以充分利用外来务工者;可以按照市场供求关系,抓住商机,迅速调整产品结构;市场比较稳定,有微利,只要生产能上去,就有较好的收益;可以在芯片制造、封装、测试、材料、设备等方面形成单元体为主的生产,避免小而全、大而全地增加企业负担等等。我国分立器件的劣势也恰恰在此:由于投资少、生产规模小,因此抗风险能力差;技术水平落后,产品在中低档徘徊;开发能力不足,跟不上世界先进水平,跟不上整机厂的需求,跟不上产业技术水平发展的潮流;重复生产、压档压价、无序竞争等。这些都阻碍了我国分立器件产业的发展。

    特别是在2008年的金融危机下,中国半导体分立器件产业发展中出现的问题愈加明显,许多情况不容乐观,如产业结构不合理、产业集中于劳动力密集型产品;技术密集型产品明显落后于发达工业国家;生产要素决定性作用正在削弱;产业能源消耗大、产出率低、环境污染严重、对自然资源破坏力大;企业总体规模偏小、技术创新能力薄弱、管理水平落后等。由此,分立器件企业如何提高盈利能力、防止利润下滑,实现持续、稳定和快速增长是摆在企业面前的重要任务。

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