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光宇睿芯微电子:半导体过压防护器件应对浪涌挑战




    浪涌电压的来源有四类,雷击、工业过电压、静电、核磁辐射。在极短的时间内(微妙级),浪涌电压可以达到很高的幅值。浪涌电压释放到设备上,会干扰设备运行,甚至烧毁电路。为了降低浪涌电压的危害,需要在电路里添加过电压保护器件。

    半导体过压保护,主要是用来防雷。目前市场上主要的防雷器件有这么几种,气体防雷管、压敏电阻、瞬态二极管,过压保护器件。气体放电管是电容很小,但是里面是充惰性气体,所以可靠性不强,会退化;压敏电阻能够吸引能量,并且有EMC功能;TVS可以做到很小,但是它的缺点就是寄生电容很大,耐电流很小;半导体过压保护器件采用先进的离子注入技术,开启电压的一致性好,明显优于气体放电管和压敏电阻;采用了SCR结构,浪涌电流的吸收能力强,明显优于瞬态抑制二极管(TVS),另外它的可靠性很高,响应速度很快。

     上海光宇睿芯微电子有限公司(SINO-IC)从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售。SINO-IC产品品种多,覆盖范围广,已广泛应用于通讯系统的接口保护、便携产品接口保护、锂电池的过充过放保护、电源系统的过压保护、以及LED驱动与保护等。

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