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ELEXCON 深圳国际电子展

GaNPower Semiconductor (Foshan) co., Ltd

镓能半导体(佛山)有限公司

 

展位号:1S73  
 

 

主营产品:

我们公司的主要产品有GaN功率器件、直流充电桩、48W适配器;其中GaN功率器件包括LGA封装、DFN封装、QFN封装、SOP封装、TO封装;直流充电桩是30KW 电动汽车直流充电桩,将充电桩和充电电源模块融于一体,实现对电动车充电的管理、计费和相应的电池状态检测和自动化充电过程。适合公交系统、汽车租赁--大巴、中巴、夜间无人值守工作。直流充电桩保护功能齐全,产品安全性能高,还具备智能识别电池类型,执行遥控动作。48W便携式电源适配器型号为GPSA-4501,输入为100-240V~ 50/60Hz 1.0A,输出为5VDC-3A,9VDC-3A,12VDC-3A,15VDC-3A,20VDC-2.25A;具有小体积、重量轻、流线型、全密封、携带方便。
 


产品介绍:

 

GP16520DS

 

650V N-channel GaN FET in DFN6X8 ( GP16520DS)封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻(64毫欧)、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗,符合RoHS标准,适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。

 

 

GP16510L

 

650V N-channel GaN FET in LGA (GP16510L)封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻(128毫欧)、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗,符合RoHS标准,适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。

 

 

GP16510S

 

650V N-channel GaN FET in SOP-16-W(GP16510S)封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻(128毫欧)、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗,符合RoHS标准,适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。

 

 

GP16510TS

 

650V N-channel GaN FET in TO-220 (Drain Tab)(GP16510TS)封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻(128毫欧)、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗,符合RoHS标准,适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。

 

 

GP16515DS

 

DFN6X8 (GP16515DS)封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻(85.3毫欧)、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗,符合RoHS标准,适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。

 

 

GP16515L

 

650V N-channel GaN FET in LGA(GP16515L)封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻(85.3毫欧)、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗,符合RoHS标准,适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。

 

 

GP16515TS

 

650V N-channel GaN FET in TO-220 (Drain Tab)(GP16515TS)封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻(85.3毫欧)、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗,符合RoHS标准,适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。

 

 

GP16520L

 

650V N-channel GaN FET in LGA(GP16520L)封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻(64毫欧)、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗,符合RoHS标准,适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。

 

 

GP16530DS

 

650V N-channel GaN FET in DFN6X8 (GP16530DS)封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻(64毫欧)、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗,符合RoHS标准,适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。

 

 

GP16530L

 

650V N-channel GaN FET in LGA(GP16530L)封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻(42.7毫欧)、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗,符合RoHS标准,适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。

 

 

GP36515S

 

650V N-channel GaN FET in SOP-16-W(GP36515S)封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻(85毫欧)、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗,符合RoHS标准,适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。

 

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Event Time
15-17 Sept.,2022
Venue
ChinaShenzhenConvention & Exhibition Center Hall 1/9
Organizer
Shenzhen Informa Markets Creativity Exhibition Co., Ltd.
Supporters
China Institute of Communications、The Aliance Etc
China Electronic Components Industry Association
China Semiconductor Industry Association
Shenzhen Medical Device Industry Association
Taiwan Electrical and Electronic Industry Association
TECA Taiwan Electronic Link Industry Association
China Software Industry Association Branch Of Embedded System
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