做为极少数自由电子元器件，IGBT在该工作电压范畴内具有好于MOSFET的关断特点，与此同时有着与MOSFET非常相近的栅压构造，能完成轻轻松松操纵。除此之外，因为不用选用集成化反方向二极管，这使生产商可以灵敏地挑选对于应用优化的迅速“复合型封装形式”二极管，这与原有MOSFET二极管反过来，原有MOSFET二极管的反向恢复正电荷Qrr和反向恢复時间trr会伴随着额定电流的增高而扩大。
自然，关断高效率的增强必须付出代价：IGBT通常具有相对性较高的开关损耗，那样可以减少运用电源开关頻率。这二者之间的衡量及其别的使用和生产制造常见问题为数代IGBT及其不一样的派生类元器件的兴起打造了标准。诸多的商品促使在选用时采用严谨的步骤变的十分关键，由于这将对电气设备特性和成本费造成巨大危害。
针对IGBT型号选择的方式 主要是经过下列一些层面：

​1、IGBT额定电流的挑选
三相380V键入工作电压通过整流器和过滤后，直流电母相电压的最高值：在电源开关运行的情况下，IGBT的额定电流一般规定高过直流电母相电压的二倍，依据IGBT规格型号的额定电压，挑选1200V额定电压的IGBT。

2、IGBT额定电压的挑选
以30kW变频调速器为例子，负荷电流量约为79A，因为负荷电气设备运行或加快时，电流量负载，一般规定1min的時间内，承担1.5倍的过电流，择较大负荷电流量约为119A，提议选用150A电流量级别的IGBT。

 3、IGBT电源开关主要参数的挑选
变频调速器的开关頻率一般低于10kHZ，而在具体工作中的历程中，IGBT的通态耗损所占比例非常大，提议选用低通态型IGBT。

4、危害IGBT稳定性要素
    （1）栅工作电压
IGBT工作中时，务必有正方向栅工作电压，常见的栅推动工作电压数值15～187，最大使用20V，而棚工作电压与栅压电阻器Rg有较大关联，在设计方案IGBT光耦电路时，参照IGBTDatasheet中的额定值Rg值，设计方案适合推动主要参数，确保有效正方向栅工作电压。由于IGBT的工作效率与正方向棚工作电压有较大关联，正方向栅工作电压越高，开启耗损越小，正方向损耗也咯小。
在电桥电路和功率大的运用状况下，为了防止影响，在IGBT关闭时，栅压加负工作电压，一般在-5-15V，确保IGBT的关闭，防止Miller效用危害。
     （2）Miller效用
为了更好地减少Miller效用的危害，在IGBT栅驱动电路中选用整改措施：(1)开启和关闭选用不一样栅电阻器Rg,ON和Rg,off，保证IGBT的合理办理和关闭;(2)栅源间加电容器c，对Miller效用发生的电流开展动能泄流;

(3)关闭时加负栅压。在具体设计中，选用三者有效组成，对改善Miller效用的功效更好。
IGBT是逆变电源关键采用的关键输出功率电源开关元器件，也是逆变电源中关键工作中元器件，有效挑选IGBT是确保IGBT靠谱工作中的前提条件，与此同时，要依据三相整流电路构造的特性，挑选低通态型IGBT为宜。依据IGBT的棚特点，有效设计方案栅推动构造，确保IGBT合理的开启和关闭，减少Miller效用的危害。
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