5G和物联网的蓬勃发展，对于电子产品对轻、薄、短、小和长待机的追求也更加极致。系统所需要集成的功能、频段更多，而电池技术没有革命性进步，这就导致了系统电路板越来越拥挤。所以，SiP的需求强劲。

SiP需要在更小尺寸里集成更多功能，同时实现更高的封装效率，所以先进封装技术，如Fan-out、Fan-in、3D Stack、TSV、AiP等，的综合使用会越来越普遍。以AiP为例，现在越来越多的系统厂商布局该技术，将RF Transceiver，Antenna，Filters（可能采用是技术有IPD、LTCC、BAW、SAW等）封装为一体，用以解决5G带来的天线数量和尺寸大规模增加的问题。

SiP技术可以最大限度地灵活应用各种不同芯片资源和封装互连优势。相比于SOC，SiP可以做到较高的集成度，能大幅降低设计端和制造端的成本，缩短产品的设计和上市周期，同时最大限度的发挥芯片功能与性能。

就瓶颈而言：第一，产能是目前行业内最缺的。这包括两个方面，封装的产能和元器件的产能。第二，先进封装的成熟度，也需要进一步提升。第三，国产化器件的种类、性能以及一致性，需要市场的检验。

从设计方案上来讲，芯和在SiP 领域深耕多年，已经形成了一套完整的设计流程和仿真设计平台。芯和有着独立自足的国产EDA仿真软件和集成无源器件（IPD）的技术优势，这两项优势也能更加保障SiP设计的小型化，可靠性和可行性。

从设计经验上来讲，芯和经过10年的产品研发，传统的封装技术（BGA、QFN、LGA、CCGA、QFP等）已经掌握得十分成熟，并且对于先进封装技术（Fan-out、WLCSP、3D package等）也有了相当多的设计经验。

在手机、TWS耳机、可穿戴设备、物联网等领域，芯和已有相当多成功的设计案例，有给手机领域设计的音频SiP、滤波器模组，物联网领域设计的WiFi/BT/LoRa等物联网SiP，对这些领域SiP产品设计类型已经十分熟悉。

2021年，5G仍是推动SiP发展的一个主要动力。而在5G产品中，射频前端模组的需求量将会是最大的。5G时代，基于多频段的通信技术升级将引入更多的射频前端组件，尤其是滤波器和开关。先进载波聚合、动态频谱及4x4MIMO等5G先进技术的进入也使得射频前端复杂度进一步提升。

根据Skyworks统计数据，从4G到5G，设备支持的频段数量将从15个增加到30个，Tx/Rx滤波器总数从30个增加到75个，开关从10个增加到30个。由于5G设备内置元件数量增加，同时在移动化终端小型化的发展趋势下，SiP在射频前端领域需求量进一步增加。所以，芯和在未来将会更多关注5G射频前端领域，结合自身EDA的优势，在包含集成无源器件在内的滤波器技术和集成了滤波器的射频前端模组SiP技术领域重点发力。

2021年，进一步提升我们的EDA、IPD和SIP技术及其产品。在现有局势下，EDA领域引来极好发展契机，我们在修炼内功的同时，也将进一步培养我们的生态。IPD领域，我们会继续在IPD、BAW与SAW滤波器领域深耕细作，实现多点开花，在维护现有产品体系的同时，根据市场的需求，进一步推陈出新，丰富我们的产品规模。SiP方面，我们将充分发挥在EDA和IPD领域的优势，在射频SiP领域结合市场需求，在先进封装领域着重发力。