展商速递 | Nexperia 首款 SiC MOSFET 提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准
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发布时间: 2024-01-02
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基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET,并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200V分立器件,RDS(on)分别为40mΩ和80mΩ。


NSF040120L3A0和 NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品,随后 Nexperia将持续扩大产品阵容,推出多款具有不同 RDS(on)的器件,并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高,可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的需求。


Nexperia高级总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示:

“Nexperia 和三菱电机希望通过这两款首发产品为市场带来真正的创新,这个市场一直渴望更多的宽禁带器件供应商。Nexperia现可提供SiC MOSFET器件,这些器件在多个参数上都具有一流的性能,例如超高的RDS(on)温度稳定性较低的体二极管压降严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比能够安全可靠地防止寄生导通。这是我们与三菱电机承诺合作生产高质量 SiC MOSFET 的开篇之作。毫无疑问,在未来几年里,我们将共同推动 SiC 器件性能的发展。”


三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理Toru Iwagami表示:

“我们很高兴与Nexperia携手推出这些新型SiC MOSFET,这也是我们合作推出的首批产品。三菱电机在SiC功率半导体方面积累了丰富的专业知识,我们的器件实现了多方面特性的出色平衡。”


RDS(on)会影响传导功率损耗,是SiC MOSFET的关键性能参数。Nexperia认为这是目前市场上许多SiC器件性能的限制因素。但是通过创新工艺技术,Nexperia的首款SiC MOSFET实现了业界领先的温度稳定性,在25℃至175℃的工作温度范围内,RDS(on)的标称值仅增加 38%。这与市场上其他许多目前可用的SiC器件不同。 

Nexperia SiC MOSFET的总栅极电荷(QG)非常低,由此可实现更低的栅极驱动损耗。此外,Nexperia 通过平衡栅极电荷,使QGD与QGS比率非常低,这一特性又进一步提高了器件对寄生导通的抗扰度。   

除了正温度系数外,Nexperia SiC MOSFET的 VGS(th)阈值电压器件间分布差异极低,这使得器件并联工作时,在静态和动态条件下都能实现非常均衡的载流性能。此外,较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率,同时还能放宽对异步整流和续流操作的死区时间要求。 

Nexperia未来还计划推出车规级 MOSFET。NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 现已投入大批量生产。请联系Nexperia销售代表获取全套 SiC MOSFET 样品。

Nexperia (安世半导体) 

Nexperia(安世半导体)总部位于荷兰,是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司,目前在欧洲、亚洲和美国共有15,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者,Nexperia(安世半导体)的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域,几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。 

Nexperia(安世半导体)为全球客户提供服务,每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面成为行业基准,获得广泛认可。Nexperia(安世半导体)拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证,充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。

Nexperia:效率致胜。



文章及图片来源 | 安世半导体

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