深圳会展中心（福田）
2025年8月26日-28日
浙江驰拓科技有限公司成立于2016年，专注于新型存储芯片的研发、生产和销售。总部位于杭州临安青山湖科技城，总建筑面积3.4万平米，设有无锡分公司。公司拥有先进的新型存储芯片研发与产业化平台，掌握了MRAM设计、制造全套关键技术，成功开发独立式存储芯片和嵌入式IP等系列化产品并可提供90/40/28nm多个先进工艺节点下的芯片设计、工艺研发、流片、测试分析等全方位服务，是中国MRAM新型非易失存储芯片技术研发、生产制造的领军企业。驰拓科技MRAM产品具有125℃下十年以上数据保持能力，支持超过万亿次重复写入，工作温区覆盖-40~+125℃。亚ppm级失效率的大容量阵列良率水平达到95%。
磁性随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)是一种非易失存储技术,它采用磁性隧道结（Magnetic Tunnel Junction, MTJ）作为存储单元，通过改变磁矩方向切换高低阻态，从而实现“0”和“1”的数据存储。与传统的电荷存储器（如DRAM和Flash）不同，MRAM无需依赖电荷保持数据，因而具备速度快、功耗低、重写次数多、抗辐射及恶劣环境能力强等显著优势。
近年来，自旋转移力矩磁性随机存取存储器(STT-MRAM, Spin-Transfer Torque MRAM) 已实现商业化应用。STT-MRAM利用自旋转移矩效应，通过自旋极化电流改变磁性层的磁化方向来完成数据写入。目前，该技术已在智能物联、工业控制和车载电子等民用场景中展现出广阔的应用前景。 诚邀各界嘉宾莅临1P26驰拓科技展台参观交流。展会期间会同步举办“新型非易失存储技术-MRAM技术”分享会，欢迎各界嘉宾与驰拓科技专家面对面交流，深入了解驰拓MRAM产品与技术发展。
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