东芯LPDDR系列产品具有LPDDR1及LPDDR2两个系列，最大时钟频率可达533MHz。 LPDDR1的核心电压与IO电压均低至1.8V，而LPDDR2的VDDCA/VDDQ更低至1.2V，因此非常适合在移动互联网中类似智能终端，LPDDR系列产品将广泛应用于可穿戴/遥控设备等便携式产品。

东芯MCP系列产品具有NAND Flash和DDR多种容量组合，Flash和DDR均为低电压的设计，核心电压1.8V可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。其中DDR包含LPDDR1/LPDDR2两种规格使其选择更加灵活丰富。MCP可将Flash和DDR合二为一进行封装，简化走线设计，节省组装空间，高效集成电路，提高产品稳定性。

东芯的DDR3（L）产品具备高传输速率以及低工作电压。可提供1.5V/1.35V两种电压模式，具有标准SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架构和8个内部bank的DDR3 SDRAM，是主流的内存产品。在网络通信，消费电子，智能终端，物联网等几乎所有电子产品领域都有广泛应用。

可提供通用SPI接口、不同规格的NOR Flash，容量从32Mb到512Mb，电压1.8V，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式。产品专注在中小容量，可广泛应用于各种应用场景。

兼容传统的并行接口标准，高可靠性。可提供容量从1Gb到8Gb， 3.3V/1.8V两种电压，多种封装方式的产品，以满足不同应用场景。在网络通信，智能音箱，安防监控，机顶盒等领域中广泛应用。

单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器 ，并带有内部ECC模块，使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间，又提升了稳定性。产品现拥有38nm及2xnm的成熟工艺制程，未来将继续研发1xnm先进工艺制程。产品可提供3.3V /1.8V两种电压，具备WSON、BGA多种封装形式，不仅能满足常规应用场景，也使其在目前日益普及的由电池驱动的移动互联网及物联网设备中保持低功耗，有效延长设备的待机时间，也更灵活地适用于不同应用场景。