用于8寸、12寸晶圆减薄、抛光工艺。
主要优势
高精度铸件，无应力变形；自制主轴，稳定性高；
搭载非接触式及接触式测高模块，对晶圆厚度稳定控制；
搭配自主研发主轴、抛光磨轮，实现晶圆干抛功能。改善研磨残留的损伤层，进一步提升晶圆强度；
优秀的视觉检测和定位系统，可识别晶圆正反面，自动定位补偿；
独立式台盘倾角电机调整控制，精准、操作方便；
先进的可视化界面，可实时监控和显示关键加工信息曲线。

用于8寸、12寸晶圆减薄、精抛工艺。
主要优势
高精度铸件，无应力变形；自制主轴，稳定性高；
搭配自主研发、制造高目数磨轮，实现晶圆精抛功能，改善晶圆强度，减少表面损伤层；
优秀的视觉检测和定位系统，可识别晶圆正反面，自动定位补偿；
台盘倾角电机调整控制，精准、操作方便；
先进的可视化界面，可实时监控和显示关键加工信息曲线

该设备用于半导体材质的晶圆减薄。
主要优势
物料信息扫描录入，Fab 晶圆级搬运手臂 防呆系统完整，识别物料正反面
水封真空泵，真空稳定，震动小
可视化管理加工过程 定制超高精密加工工位，性能卓越震动小

主要应用于8、12英寸半导体晶圆领域的全自动划切加工；丰富的功能选择，可适用不同种类产品，满足不同客户的定制化需求。
主要优势
良好的振动抑制平台架构, 实现稳定、高效的加工工艺；
精密进口滚珠丝杆、直线导轨，低膨胀系数光栅尺闭环控制，高精度机台性能长时间保持；
双轴对装结构，最小轴间距26mm，工艺适应范围广；
自主研发破刀侦测（BBD）和非接触式测高（NCS）系统 高性能控制系统，图形化软件界面；
自动上下料、搬送定位、对准切割、刀痕检测、清洗干燥，实现全自动的运行模式。

用于晶圆表面等离子体切割。
双离子源ICP电感耦合等离子刻蚀腔体设计，高刻蚀均匀性
双电极静电卡盘吸附设计，吸附力强，控温性能好
Inline多腔体同时作业，高Throughput
高精度真空搬运手臂，产品搬运安全性高
双层Gas Buffle设计，提高plasma均匀度可调性
产品温度红外检测设计，超温保护，提高产品安全性
工艺终点侦测设计，工艺完成检测，避免刻蚀过量影响产品安全
可用于异形及不规则切割道的产品切割
可用于小芯片、超窄切割道晶圆切割，saw street<20μm

该系统用于硅晶圆及SiC、GaN等第三代半导体内部改质切割工艺。以其先进的智能系统确保产品加工的品质与效率。

主要优势
配有高精度的晶圆表面高度追踪及补偿系统，采用快速步进移动方式，加减速时间段，X/Y轴同时配合，无需将速度降至0即可完成切割道更换，提升作业效率； 配有光斑整型及补偿功能，使用SLM技术进行激光调制，通过相位补偿，使激光更加聚焦，调高加工效率和品质。